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【发明公布】一种边缘器件区优化设计的TFT阵列基板及其制作方法_福建华佳彩有限公司_202311536134.0 

申请/专利权人:福建华佳彩有限公司

申请日:2023-11-17

公开(公告)日:2024-04-12

公开(公告)号:CN117878124A

主分类号:H01L27/12

分类号:H01L27/12;G02F1/1362;H01L21/77

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.04.12#公开

摘要:本发明涉及液晶显示器技术领域,提供一种边缘器件区优化设计的TFT阵列基板及其制作方法,包括:玻璃基板;第一金属层,形成面内栅极和第一边缘栅极;第一有源层,形成面内有源块和第一边缘有源块;第二金属层,形成面内源极、面内漏极、第一边缘源极和第一边缘漏极;第二有源层,形成第二边缘有源块;第三金属层,形成第二边缘源极、第二边缘漏极和公共电极;第四金属层,形成第二边缘栅极和公共信号走线;第五金属层,形成第一面内导电线、第二面内导电线、第一边缘导电线和第二边缘导电线。本发明的优点在于:除了考虑横向与纵向的平面,还合理使用竖向的空间,通过将TFT器件在竖向堆叠,减少边缘器件区的TFT器件占据的面积。

主权项:1.一种边缘器件区优化设计的TFT阵列基板,其特征在于,包括:玻璃基板;第一金属层,固定设置在所述玻璃基板的上表面,形成面内栅极和第一边缘栅极;第一绝缘层,固定设置在所述第一金属层与所述玻璃基板的上表面;第一有源层,固定设置在所述第一绝缘层的上表面,形成面内有源块和第一边缘有源块,所述面内有源块位于所述面内栅极的正上方,所述第一边缘有源块位于所述第一边缘栅极的正上方;第二金属层,固定设置在所述第一绝缘层的上表面,形成面内源极、面内漏极、第一边缘源极和第一边缘漏极,所述第一边缘源极与所述第一边缘有源块的左端连接,所述第一边缘漏极与所述第一边缘有源块的右端连接,所述面内源极与所述面内有源块的左端连接,所述面内漏极与所述面内有源块的右端连接;第二绝缘层,固定设置在所述第二金属层、所述第一有源层与所述第一绝缘层的上表面;第二有源层,固定设置在所述第二绝缘层的上表面,形成第二边缘有源块;第三金属层,固定设置在所述第二绝缘层的上表面,形成第二边缘源极、第二边缘漏极和公共电极,所述第二边缘源极与所述第二边缘有源块的右端连接,所述第二边缘漏极与所述第二边缘有源块的左端连接;第三绝缘层,固定设置在所述第二有源层与所述第二绝缘层的上表面;第四金属层,固定设置在所述第三绝缘层的上表面,形成第二边缘栅极和公共信号走线,所述第二边缘栅极位于所述第二边缘有源块的正上方;第四绝缘层,固定设置在所述第四金属层与所述第三绝缘层的上表面,所述第四绝缘层开设有第一面内连接孔、第二面内连接孔、第三面内连接孔、第一边缘连接孔、第二边缘连接孔和第三边缘连接孔;第五金属层,固定设置在所述第四绝缘层的上表面,形成第一面内导电线、第二面内导电线、第一边缘导电线和第二边缘导电线,所述第一面内导电线通过所述第一面内连接孔与所述面内漏极连接,所述第二面内导电线通过所述第二面内连接孔与所述公共信号走线连接,还通过所述第三面内连接孔与所述公共电极连接,所述第一面内导电线是画素电极,所述第一边缘导电线通过所述第一边缘连接孔与所述第一边缘漏极连接,还通过所述第二边缘连接孔与所述第二边缘源极连接,所述第二边缘导电线通过所述第三边缘连接孔与所述第二边缘漏极连接。

全文数据:

权利要求:

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