申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日：2019-12-10

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN112949236B

主分类号：G06F30/367

分类号：G06F30/367

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2021.07.02#实质审查的生效;2021.06.11#公开

摘要：一种刻蚀偏差的计算方法以及计算系统，刻蚀偏差的计算方法包括：提供基底，包括待刻蚀层及位于待刻蚀层上的掩膜图形，基底包括待测量区域，待测量区域的掩膜图形包括多个第一待测量图形；获取第一待测量图形的光刻后线宽平均值；以掩膜图形为掩膜刻蚀待刻蚀层形成目标图形，与第一待测量图形对应的为第二待测量图形；获取第二待测量图形的刻蚀后线宽平均值；建立计算模型并获取第二待测量图形的实际刻蚀后线宽，计算模型包括线宽校正项，适于补偿待测量区域中不同位置的第二待测量图形的实际刻蚀后线宽与刻蚀后线宽平均值的偏差量；计算光刻后线宽平均值和任一第二待测量图形的实际刻蚀后线宽的差值作为刻蚀偏差。本发明提高刻蚀偏差的计算精度。

主权项：1.一种刻蚀偏差的计算方法，其特征在于，包括：提供基底，包括待刻蚀层以及形成于所述待刻蚀层上的多个掩膜图形，所述掩膜图形利用光刻工艺所形成，所述基底包括待测量区域，且在所述待测量区域中，所述掩膜图形中包括多个待测量的第一待测量图形；获取所述多个第一待测量图形的光刻后线宽平均值；获取所述多个第一待测量图形的光刻后线宽平均值后，以所述掩膜图形为掩膜刻蚀所述待刻蚀层，形成与所述掩膜图形相对应的多个目标图形，其中，与所述第一待测量图形相对应的所述目标图形作为第二待测量图形；获取所述多个第二待测量图形的刻蚀后线宽平均值；建立计算模型并利用所述计算模型获取每一个所述第二待测量图形的实际刻蚀后线宽，所述计算模型包括线宽校正项，所述线宽校正项适于补偿所述待测量区域中不同位置处的所述第二待测量图形的所述实际刻蚀后线宽与所述刻蚀后线宽平均值的偏差量；计算所述光刻后线宽平均值和任一个所述第二待测量图形的实际刻蚀后线宽的差值，作为刻蚀偏差。

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权利要求：

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