申请/专利权人：江苏富乐华功率半导体研究院有限公司

申请日：2023-04-11

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN116420927B

主分类号：A24F40/46

分类号：A24F40/46;A24F40/70;B28B11/04;B28B11/14;C23C14/35;C23C14/18;B22F5/00;B22F9/04

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2023.08.01#实质审查的生效;2023.07.14#公开

摘要：本发明公开了一种陶瓷加热片及其制备方法，涉及陶瓷加热片领域，旨在解决目前加热片导热率低，导热不均匀的问题，其技术方案要点是：一种陶瓷发热片，包括陶瓷片以及经磁控溅射在陶瓷片表面的金属化层，金属化层表面丝网印刷有无玻璃相的金属发热体，金属发热体表面覆有清洁釉。本发明的一种陶瓷加热片及其制备方法能够制备导热均匀、热导率高的陶瓷加热片。

主权项：1.一种陶瓷发热片的制备方法，其特征在于，陶瓷发热片包括陶瓷片以及经磁控溅射在陶瓷片表面的金属化层，金属化层表面丝网印刷有无玻璃相的金属发热体，金属发热体表面覆有清洁釉；所述金属化层为Ti或Zr或Cr，其厚度为0.1-2μm；所述无玻璃相的金属发热体为Ag，并含有用于调节导电性能的金属氧化物，无玻璃相金属发热体厚度为8-20μm，方阻为10-80mΩ□；上述的金属氧化物包括TiO2、ZrO2；所述陶瓷片为Si3N4或AlN材质，陶瓷片的厚度为0.15-0.8mm，热导率大于80Wm·K；还包括焊盘，所述焊盘的材质为Ag或Au，厚度为1-10μm；制备方法包括以下步骤：S1陶瓷表面金属化层制备：利用磁控溅射设备，以Ti或Zr或Cr金属靶材作为阴极发热溅射，在Si3N4或AlN陶瓷片上溅射出金属化层薄膜；S2金属发热体制备：将Ag粉、金属氧化物、有机载体三者以80-90：0.5-5：5-20的质量比混合，利用三辊研磨机将浆料研磨并分散混合，然后用丝网印刷机在已金属化的陶瓷片上印刷，经800～900℃空气烧结将发热体烧结于金属化陶瓷片上，形成发热图形，同时非图形区域的金属化层进行自发氧化，由导电体转变成绝缘体；S3清洁釉制备：经S2步骤制得的金属发热体表面丝网印刷清洁釉，经空气烧结后粘覆于其表面；S4焊盘制作：对焊盘位置进行电镀或者化学镀处理，增加可焊接厚度；S5激光切片：利用激光切割工艺，将陶瓷发热片整板激光切割成单枚产品。

全文数据：

权利要求：

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