申请/专利权人：复旦大学

申请日：2022-10-08

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN115650219B

主分类号：C01B32/194

分类号：C01B32/194;C01B32/186

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2023.02.17#实质审查的生效;2023.01.31#公开

摘要：本发明涉及二维材料制备领域，具体涉及一种CVD石墨烯的转移方法。本发明以CVD生长得到的铜基石墨烯为主体，利用过硫酸铵腐蚀铜箔以去除铜基石墨烯背面的石墨烯；再对腐蚀后的铜基石墨烯进行电化学腐蚀，除去铜基底后得到剥离的石墨烯；使用了氧化剂NH42S2O8对背面的石墨烯进行化学腐蚀去除，氧化后的铜离子可以形成络合物，进而加速石墨烯的脱离；采用电化学腐蚀，反应速率可以用电压精确调控，同时减少过硫酸铵用量，降低气泡产生速率，避免对石墨烯的损伤。在电解过程中加入过硫酸铵是为了去除未能被电解去除的铜颗粒。

主权项：1.一种CVD石墨烯的转移方法，其特征在于，转移方法包括以下步骤：以CVD生长得到的铜基石墨烯为主体，利用过硫酸铵溶液腐蚀铜箔以去除铜基石墨烯背面的石墨烯；再对腐蚀后的铜基石墨烯进行电化学腐蚀，除去铜基底后得到剥离的石墨烯；步骤（1）中所用的过硫酸铵溶液浓度为1-1.1molL；步骤（2）中加入浓度0.1-0.2molL过硫酸铵对铜基进行电化学腐蚀；步骤（1）的具体操作如下：裁剪CVD生长出的铜基石墨烯至所需尺寸后进行平整，将平整后的铜基石墨烯置于过硫酸铵溶液表面，保持铜基石墨烯中的铜箔背面接触溶液，静置5-10min，之后从过硫酸铵溶液取出背面被腐蚀的铜基石墨烯，并用去离子水冲洗铜基石墨烯，除去铜箔背面的石墨烯和过硫酸铵溶液，以及铜基石墨烯正面附着的过硫酸铵溶液；步骤（2）后获得剥离的石墨烯，通过加水稀释的方式降低承载石墨烯溶液的离子浓度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 复旦大学 一种CVD石墨烯的转移方法

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