申请/专利权人：上海至纯半导体设备有限公司

申请日：2023-03-30

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN220846259U

主分类号：C23C16/44

分类号：C23C16/44

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权

摘要：本实用新型公开了CVD炉管真空管路防沉积定制中心环，包括装置本体，所述装置本体包括真空管路、顶盖和防沉积环，所述真空管路位于装置本体底部，所述顶盖安装在真空管路顶部，所述防沉积环安装在真空管路底端内部；所述防沉积环顶部设有安装尖角，所述安装尖角呈锥形状，所述安装尖角表面和防沉积环底部均设有呈列状等距分布的若干组外螺纹，所述防沉积环和安装尖角均为不锈钢材质。该种装置可以十分便捷的防止副产物沉积在真空管路内侧，该种装置的真空管路内设有防沉积环，防沉积环可以便于工作热源对其进行拆卸，从而提高工作人员对副产物清理的效率。

主权项：1.CVD炉管真空管路防沉积定制中心环，其特征在于：包括装置本体1，所述装置本体1包括真空管路2、顶盖3和防沉积环4，所述真空管路2位于装置本体1底部，所述顶盖3安装在真空管路2顶部，所述防沉积环4安装在真空管路2底端内部；所述防沉积环4顶部设有安装尖角6，所述安装尖角6呈锥形状，所述安装尖角6表面和防沉积环4底部均设有呈列状等距分布的若干组外螺纹7，所述防沉积环4和安装尖角6均为不锈钢材质。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海至纯半导体设备有限公司 CVD炉管真空管路防沉积定制中心环

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