申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2021-08-27

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN114115716B

主分类号：G06F3/06

分类号：G06F3/06;G06F11/20;G11C16/04

优先权：["20200827 US 63/071,022"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2022.03.18#实质审查的生效;2022.03.01#公开

摘要：本申请案涉及使用半良块的存储器装置虚拟块。在一些实例中公开用于使用在不同部分上存在缺陷的存储器块的无缺陷部分的方法、系统、装置、存储器装置和机器可读媒体。替代停用整个块，所述系统可仅停用所述块的一部分例如，所述块的第一叠组且挽救所述块的不同部分例如，所述块的第二叠组。

主权项：1.一种存储器装置，其包括：处理器；存储器，其存储指令，所述指令在执行时使得所述处理器执行包括以下各项的操作：识别所述存储器装置中的第一NAND块的具有属于第一部分中的第一已识别缺陷类型列表中的类型的缺陷的所述第一部分以及所述第一NAND块的并不具有来自第二已识别缺陷类型列表的缺陷的第二部分；识别所述存储器装置中的第二NAND块的具有属于第一部分中的所述第一已识别缺陷类型列表中的类型的缺陷的所述第一部分以及所述第二NAND块的并不具有来自所述第二已识别缺陷类型列表的缺陷的第二部分；使用所述第一NAND块的所述第二部分和所述第二NAND块的所述第二部分形成虚拟块；以及通过将数据的第一部分存储在所述第一NAND块的所述第二部分中且将所述数据的第二部分存储在所述第二NAND块的所述第二部分中来将所述数据存储在所述虚拟块中，其中将所述数据存储在所述虚拟块中包括通过将偏置电压施加到所述第一NAND块的所述第一部分和所述第二NAND块的所述第一部分来将所述数据写入到所述虚拟块。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 使用半良块的存储器装置虚拟块

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