申请/专利权人：北京忆芯科技有限公司

申请日：2022-12-30

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117251103B

主分类号：G06F3/06

分类号：G06F3/06;G06F11/14;G06F1/3287

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2024.01.05#实质审查的生效;2023.12.19#公开

摘要：本申请提供低延迟进入深度低功耗状态的存储设备及其方法。所提供的方法包括：在存储设备准备进入存储设备的第二功耗状态之前，将控制部件的第一固件备份到NVM芯片，将引导加载程序备份到第二存储器；以及响应于存储设备准备进入存储设备的第二功耗状态，与主机协商使物理链路进入第二功耗状态，其中，在物理链路的第二功耗状态下，第一供电端口下电，第二供电端口上电；获取存储设备从第二功耗状态进入第一功耗状态所需的唤醒数据，将唤醒数据存储到第二存储器中，所述唤醒数据包括所述控制部件的现场数据。

主权项：1.一种存储设备实现的方法，其特征在于，所述存储设备包括控制部件、NVM芯片、存储器、第一供电端口和第二供电端口，所述存储器包括第一存储器与第二存储器；在所述存储设备处于第一供电状态时，所述控制部件、所述NVM芯片与所述存储器通过所述第一供电端口被供电；在所述存储设备处于第二供电状态时，所述第二存储器通过所述第二供电端口被供电，以及所述第一供电端口被下电；所述存储设备与主机通过物理链路连接，所述物理链路的状态包括第一功耗状态和第二功耗状态；所述方法包括：在所述存储设备准备进入所述存储设备的第二功耗状态之前，将所述控制部件的第一固件备份到所述NVM芯片，将引导加载程序备份到所述第二存储器；响应于所述存储设备准备进入所述存储设备的第二功耗状态，与所述主机协商使所述物理链路进入第二功耗状态，其中，在所述物理链路的第二功耗状态下，所述第一供电端口下电，所述第二供电端口上电；获取所述存储设备从所述第二功耗状态进入所述第一功耗状态所需的唤醒数据，其中，所述唤醒数据包括所述控制部件的现场数据；将所述唤醒数据存储到所述第二存储器中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京忆芯科技有限公司 低延迟进入深度低功耗状态的存储设备及其方法

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