申请/专利权人：清华大学;北京清华长庚医院

申请日：2021-02-10

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN114910848B

主分类号：G01R33/34

分类号：G01R33/34;G01R33/36;G01R33/38

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2022.09.30#实质审查的生效;2022.08.16#公开

摘要：本申请涉及一种磁场增强器件。磁场增强器件包括两个平行设置的第一平板组件。第一平板组件包括在第一平面内平行间隔排布的多个磁场增强组件、第一导电片和第二导电片。每个磁场增强组件包括第一电连接端和第二电连接端。第一电连接端和第二电连接端之间连接有电容结构和电感结构。第一导电片与多个磁场增强组件的第一电连接端连接。第二导电片分别与多个磁场增强组件的第二电连接端连接。两个第一平板组件分别设置于检测部位的两侧。第一平板组件的谐振频率等于目标频率。第一平板组件与检测部位谐振，检测信号的磁场强度增加。两个第一平板组件可以分别增强靠近各自的检测部位的磁场，增加检测部位的检测维度和趋肤深度，提高检测信号的精确度。

主权项：1.一种磁场增强器件，其特征在于，包括两个平行设置的第一平板组件（910），所述第一平板组件（910）包括：多个磁场增强组件（10），所述多个磁场增强组件（10）在同一平面内平行间隔排布，每个所述磁场增强组件（10）包括第一电连接端（911）和第二电连接端（912），所述第一电连接端（911）和所述第二电连接端（912）之间连接有电容结构和电感结构；其中，所述磁场增强组件（10）包括：第一电介质层（100），具有相对的第一端（103）和第二端（104），并包括相对的第一表面（101）和第二表面（102）；第一电极层（110），设置于所述第一表面（101），并沿所述第一端（103）向所述第二端（104）延伸，所述第一电极层（110）包括第一子电极层（111）、第二子电极层（112）和一个第一连接层（190），所述第一子电极层（111）和所述第二子电极层（112）相对间隔设置，所述第一连接层（190）的一端与所述第一子电极层（111）连接，所述第一连接层（190）的另一端与所述第二子电极层（112）连接；第二电极层（120）和第三电极层（130），相对间隔设置于所述第二表面（102）；第一导电片（510），分别与所述多个磁场增强组件（10）的所述第一电连接端（911）连接；第二导电片（520），分别与所述多个磁场增强组件（10）的所述第二电连接端（912）连接，所述第一平板组件（910）的谐振频率等于目标频率；第一谐振电路（60），所述第一谐振电路（60）的一端与所述第一子电极层（111）连接，所述第一谐振电路（60）的另一端与所述第二电极层（120）连接，所述第一谐振电路（60）用于使所述磁场增强器件（20）处于射频接收阶段时谐振，所述第一谐振电路（60）用于使所述磁场增强器件（20）处于射频发射阶段时失谐。

全文数据：

权利要求：

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