申请/专利权人：兰州工业学院

申请日：2023-12-06

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117483890B

主分类号：B23K1/00

分类号：B23K1/00;B23K1/20;B23K35/26

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2024.02.23#实质审查的生效;2024.02.02#公开

摘要：本发明涉及微纳焊点制备领域，尤其是一种近单晶Sn基微纳焊点及其制备方法，包括以下步骤：选取单晶基底金属，将单晶基底金属4之间相对设置；选取Sn基钎料合金单体，按设计要求该合金单体的空间取向。本发明通过添加复合助焊剂，使得温度保持在Sn基钎料合金固相线以下，在避免破坏Sn基钎料合金的晶体取向的情况下，复合助焊剂受热溶解扩散，进而形成冶金反应层，维持Sn基钎料合金的位置和空间取向；同时所制备近单晶微纳焊点内焊点承载的电流方向与Sn基钎料合金单体的面垂直，且垂直通过的面对应的Sn基钎料合金单体的电阻可按设计要求选定是最大的，可显著抑制电迁移速度，提高微焊点和电子产品的可靠性。

主权项：1.一种近单晶Sn基微纳焊点制备方法，其特征在于，包括以下步骤：选取单晶基底金属4，将单晶基底金属4之间相对设置；选取Sn基钎料合金单体5，按设计要求该Sn基钎料合金单体5的空间取向，将所述Sn基钎料合金单体5置于两个单晶基底金属4之间，并在Sn基钎料合金单体5与单晶基底金属4的接触面涂抹含有纳米级SnBi钎料颗粒的复合助焊剂；在低于Sn基钎料合金单体5熔点但高于纳米级SnBi钎料颗粒熔点的温度范围内回流，加热使所述纳米级SnBi钎料颗粒在高于熔点温度下与单晶基底金属4之间发生溶解扩散进而形成冶金反应层，从而得到近单晶微焊点；所述回流时最高回流温度低于所述Sn基钎料合金单体5的固相线温度以下1-3℃；所述回流时温度设置范围在低于最高回流温度2-25℃范围内。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 兰州工业学院 一种近单晶Sn基微纳焊点及其制备方法

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