申请/专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司

申请日：2020-09-10

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN114167687B

主分类号：G03F7/20

分类号：G03F7/20;G03F9/00;H01L21/66

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2022.03.29#实质审查的生效;2022.03.11#公开

摘要：本公开提供一种套刻误差动态抽样测量方法及装置，所述方法包括：获取晶圆上所有套刻标识的信息，所述所有套刻标识由所述晶圆上每个曝光单元中的套刻标识组成；将所述晶圆上所有套刻标识分成至少两大组；按照预先确定的选择顺序，依次选择每个相应大组的套刻标识测量所述晶圆的套刻误差；所述选择顺序用于指示所述至少两大组套刻标识的循环选择顺序。本公开通过多个套刻误差测量方案循环测量套刻误差，能够在不影响生产效率的情况下，更加准确地测量套刻误差。

主权项：1.一种套刻误差动态抽样测量方法，其特征在于，包括：获取晶圆上所有套刻标识的信息，所述所有套刻标识由所述晶圆上每个曝光单元中的套刻标识组成；所述晶圆上每个曝光单元中，套刻标识数量固定且均匀分布；将所述晶圆上所有套刻标识分成至少两大组，包括：将每个曝光单元中的套刻标识划分为至少两小组，在每个曝光单元中均选择一小组套刻标识组成第一大组套刻标识，在每个曝光单元的剩余小组中均选择一小组套刻标识组成第二大组套刻标识，以此类推组成所有大组套刻标识；按照预先确定的选择顺序，依次选择每个相应大组的套刻标识测量所述晶圆的套刻误差；所述选择顺序用于指示所述至少两大组套刻标识的循环选择顺序；若循环所有大组套刻标识测量套刻误差的次数达到预设次数，则根据所述预设次数循环测得的所有套刻标识对应的测量数据，计算所述晶圆的参考套刻误差；根据所述参考套刻误差调整所述至少两大组的套刻标识。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 套刻误差动态抽样测量方法及装置

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