申请/专利权人：广州方邦电子股份有限公司

申请日：2023-06-29

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN116791035B

主分类号：C23C14/20

分类号：C23C14/20;C23C14/02;C23C14/54;C23C14/35;H01M4/134;H05K3/12;H05K1/02;H05K1/09;H05K3/16;H05K3/14

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2023.10.13#实质审查的生效;2023.09.22#公开

摘要：本发明公开了一种金属箔的制备方法。所述金属箔包括第一金属层，所述第一金属层通过真空溅射、蒸发镀和化学镀中的任意一种镀膜方式形成，镀膜次数N1与所述第一金属层的平均方阻R满足如下关系式：R＝Aσ*N1‑0.99。本发明实施例可以快速获取金属箔的镀膜次数，提高金属箔的生产效率，降低生产成本。

主权项：1.一种金属箔的制备方法，其特征在于，用于制备金属箔，所述金属箔包括第一金属层，所述第一金属层通过真空溅射、蒸发镀和化学镀中的任意一种镀膜方式形成，镀膜次数N1与所述第一金属层的平均方阻R满足如下关系式：R=（Aσ）*N1-0.99；其中，A的取值范围为1700-2400，σ为所述第一金属层的电导率，单位为1（Ω*m），镀膜次数N1≥1，且N1取正整数，平均方阻R的单位为Ω，上述关系式的相关系数R2的取值范围在0.995-0.999之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广州方邦电子股份有限公司 一种金属箔的制备方法

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