申请/专利权人：赛尔特安(无锡)电子有限公司

申请日：2023-05-06

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN220796733U

主分类号：H01L23/49

分类号：H01L23/49;H01L23/29;H01L23/06

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权

摘要：本实用新型涉及保护器件技术领域，尤其涉及一种高可靠性抗浪涌电流的过瞬态电压保护器件，包括至少两个相对且间隔设置的电极和设于相邻两个电极之间的半导体芯片，其特征在于，所述电极的材料与半导体芯片的材料在热膨胀系数上相适配，所述电极的厚度范围为0.2mm‑0.5mm，所述半导体芯片的厚度范围为0.2mm‑0.35mm；所述电极和半导体芯片共同形成多层复合结构，所述多层复合结构的外表面有涂覆层。解决了因应力不匹配导致半导体芯片产生破裂或微裂缝，避免了产品早期失效。

主权项：1.高可靠性抗浪涌电流的过瞬态电压保护器件，包括至少两个相对且间隔设置的电极和设于相邻两个电极之间的半导体芯片，其特征在于，所述电极的材料与半导体芯片的材料在热膨胀系数上相适配，所述电极的厚度范围为0.2mm-0.5mm，所述半导体芯片的厚度范围为0.2mm-0.35mm；所述电极和半导体芯片共同形成多层复合结构，所述多层复合结构的外表面有涂覆层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 赛尔特安(无锡)电子有限公司 高可靠性抗浪涌电流的过瞬态电压保护器件

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