申请/专利权人：重庆吉芯科技有限公司

申请日：2024-03-04

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117908626A

主分类号：G05F1/567

分类号：G05F1/567

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本发明提供一种带隙基准电路及模拟芯片，带隙基准电路包括正温度系数电流生成模块、基准电压生成模块及使能启动控制模块，在通过正温度系数电流生成模块及基准电压生成模块产生零温度系数的带隙基准电压的基础上，通过正温度系数电流生成模块中的负反馈环路提升输出到基准电压生成模块的第一偏置电压，减小后续基准电压生成模块需要放大的小信号系数，进而有效优化了带隙基准电压的电源抑制比；同时，通过基准电压生成模块内部MOS管的二极管接法，提升了基准电压生成模块的第二偏置电压，进一步优化了带隙基准电压的电源抑制比。如此，无需采用运放，在不过多的增加电路复杂度和能耗的情况下，就能明显改善提升带隙基准电压VBG的电源抑制比。

主权项：1.一种带隙基准电路，其特征在于，包括：正温度系数电流生成模块，产生正温度系数电流；基准电压生成模块，与所述正温度系数电流生成模块连接，对所述正温度系数电流进行镜像复制，基于镜像后的所述正温度系数电流产生正温度系数电压，再将所述正温度系数电压与提供的负温度系数电压相互叠加，得到零温度系数的带隙基准电压；使能启动控制模块，与所述正温度系数电流生成模块及所述基准电压生成模块分别连接，接收第一使能信号及第二使能信号，在所述第一使能信号及所述第二使能信号的控制下，对所述正温度系数电流生成模块及所述基准电压生成模块分别进行使能启动控制；其中，所述温度系数电流生成模块具有负反馈环路和正反馈环路，且所述负反馈环路的环路增益绝对值大于所述正反馈环路的环路增益绝对值，通过所述负反馈环路提升为所述基准电压生成模块提供的第一偏置电压，以优化所述带隙基准电压的电源抑制比。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 重庆吉芯科技有限公司 带隙基准电路及模拟芯片

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