申请/专利权人：哈尔滨工业大学

申请日：2024-01-19

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117902903A

主分类号：C04B35/58

分类号：C04B35/58;C04B35/622;C04B35/64;C04B35/645

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：一种大块致密非晶SiBCN陶瓷块体及其制备方法，它涉及非晶SiBCN陶瓷块体及其制备方法。本发明要解决现有技术难以实现大块致密非晶SiBCN块体陶瓷的制备。方法：一、有机‑无机混合块体素坯粉体的制备；二、大块致密非晶SiBCN陶瓷块体的制备。本发明用于大块致密非晶SiBCN陶瓷块体及其制备。

主权项：1.一种大块致密非晶SiBCN陶瓷块体，其特征在于它由前驱体衍生陶瓷相和非晶陶瓷相组成，且非晶陶瓷相均匀填充于前驱体衍生陶瓷相的空隙中；所述的前驱体衍生陶瓷相由前驱体在高温下裂解得到；所述的非晶陶瓷相由机械合金化无机非晶SiBCN粉体烧结得到。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 哈尔滨工业大学 一种大块致密非晶SiBCN陶瓷块体及其制备方法

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