申请/专利权人：苏州恒芯微电子有限公司

申请日：2023-03-14

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117902545A

主分类号：B81C1/00

分类号：B81C1/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本发明涉及半导体芯片加工技术领域，且公开了一种硅基mems芯片大面积背腔深刻蚀的干法刻蚀工艺。所述硅基mems芯片大面积背腔深刻蚀的干法刻蚀工艺，是在传统的大面积刻蚀技术的基础上，通过光刻技术将待刻蚀区域进行分割，形成分割图案，然后按照分割图案进行网格式分割刻蚀。通过采用网格式分割的刻蚀方法，有效地分割了大面积刻蚀过程中因为负载效应的产生而出现的钻刻现象；也解决了刻蚀的底部平整性差、存在严重的弧度的问题，形成了底部平整、深度均匀的深槽结构；利用干法刻蚀的侧向刻蚀能力，实现网格式的去除；有效提升了芯片的品质和性能。

主权项：1.一种硅基mems芯片大面积背腔深刻蚀的干法刻蚀工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、在硅基mems芯片表面涂覆光刻胶，对光刻胶进行曝光、显影，形成光刻图案；步骤二、按照光刻图案对硅基mems芯片进行网格式分割刻蚀；步骤三、网格式分割刻蚀完成后，去除光刻图案，得到带有大面积背腔的硅基mems芯片。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州恒芯微电子有限公司 一种硅基mems芯片大面积背腔深刻蚀的干法刻蚀工艺

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD