申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2024-01-22

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117910426A

主分类号：G06F30/398

分类号：G06F30/398;G16C10/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：一种利用二维查找表耦合注入评估锗硅工艺模拟电路单粒子效应的方法、系统、设备及介质，方法包括：搭建器件模型、搭建模拟电路、验证模拟电路、选择入射粒子、设定偏压选择范围、构建二维查找表、模拟耦合注入电路；系统、设备及介质：用于实现一种利用二维查找表耦合注入评估锗硅工艺模拟电路单粒子效应的方法；本发明能够实现SiGeHBT模拟电路单粒子效应的仿真评估，相比于目前的二维查找表应用，可以在模拟电路层面实现SiGeHBT电路的耦合注入，并进行下一步的分析；相比于实验室级的单粒子瞬态效应SET注入实验，具有节省时间、经费，便于初步验证等优点。

主权项：1.一种利用二维查找表耦合注入评估锗硅工艺模拟电路单粒子效应的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，设定SiGeHBT器件模型的几何结构、材料结构、掺杂成分与参数，定义电极，搭建器件模型，得到SiGeHBT器件模型；步骤2，设定模拟电路对应特性的技术指标参数，利用步骤1得到的SiGeHBT器件模型在模拟电路平台上搭建模拟电路；步骤3，对步骤2搭建的模拟电路初步开展器件电路混合模拟仿真，验证模拟电路功能是否正常，若正常，则得到SiGeHBT电路；若不正常，则重复步骤2-步骤3，直至功能正常；步骤4，选择入射离子的种类与能量，计算入射离子在步骤1搭建的SiGeHBT器件模型中的非线性能量传输值LET，并确定入射离子的影响因素；步骤5，测量步骤1搭建的SiGeHBT器件模型的内建电势，根据内建电势，设定二维查找表所需的偏压选择范围；步骤6，利用步骤4选择的入射离子和影响因素以及步骤5设定的偏压选择范围，对步骤3得到的SiGeHBT电路进行不同影响因素下的离子入射实验，记录二维查找表所需影响因素、自变量与因变量的数据，构建多个独立的二维查找表；步骤7，将步骤6构建的多个独立的二维查找表引入步骤3的SiGeHBT电路，根据离子注入引起的SiGeHBT器件模型偏压变化规律，耦合计算不同偏压下的单粒子瞬态效应SET电流，并进行数据更新，模拟单粒子瞬态效应SET电流的耦合注入电路，实现锗硅工艺模拟电路单粒子效应的评估。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学 一种利用二维查找表耦合注入评估锗硅工艺模拟电路单粒子效应的方法、系统、设备及介质

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