申请/专利权人：江苏集创原子团簇科技研究院有限公司;南京大学

申请日：2024-03-19

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117912970A

主分类号：H01L21/60

分类号：H01L21/60

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本发明公开了一种基于原子团簇焊剂的半导体键合方法，属于集成电路制备技术领域。本发明通过磁控溅射法生成团簇束；再将团簇束沉积到衬底的表面，使团簇均匀的平铺在衬底的表面，形成团簇层；在温度低于传统焊剂材料熔点13以下的常压环境中，加热熔化团簇层，并将待键合的晶圆放置在团簇层上，以使衬底和上晶圆相互键合。本发明基于原子团簇焊剂的半导体键合技术基于团簇的流动性可以自适应晶圆表面不平整的形貌，实现对表面不平整晶圆的键合以及拓展到其他同材键合。

主权项：1.一种基于原子团簇焊剂的半导体键合方法，其特征在于，其半导体键合步骤包括：通过磁控溅射法生成团簇束流；将生成的团簇束流沉积到衬底的表面，使团簇平铺在衬底的表面上，形成团簇层；在温度低于传统焊剂材料熔点13以下的常压环境中，在10到30分钟之内加热到团簇的熔点以熔化团簇层，并将待键合的晶圆放置在团簇层上，将衬底与待键合的晶圆相互贴合，以使衬底和上晶圆相互键合。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司;南京大学 一种基于原子团簇焊剂的半导体键合方法

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