申请/专利权人：嘉兴学院

申请日：2021-08-20

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN113777034B

主分类号：G01N21/01

分类号：G01N21/01;G01N21/65

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权;2021.12.28#实质审查的生效;2021.12.10#公开

摘要：本发明公开了一种金纳米双锥阵列基底及其制备方法和应用，所述金纳米双锥阵列基底包括基片以及装载于所述基片表面、由金纳米双锥组装形成的薄膜，所述金纳米双锥的表面修饰有亲水性配体和疏水性配体。所述金纳米双锥阵列基底的拉曼信号强，对环丙沙星的选择性高，可检测待测样品中痕量的环丙沙星，应用前景好。

主权项：1.用于检测环丙沙星的金纳米双锥阵列基底，包括基片以及装载于所述基片表面、由金纳米双锥组装形成的薄膜，其特征在于，所述金纳米双锥的表面修饰有亲水性配体和疏水性配体；所述金纳米双锥阵列基底的制备方法，包括以下步骤：利用亲水性配体和疏水性配体对金纳米双锥进行表面修饰；将修饰后金纳米双锥的水溶液与油相混合，自组装形成金纳米双锥薄膜；将所述金纳米双锥薄膜装载在基片上，得到所述金纳米双锥阵列基底；所述金纳米双锥、亲水性配体和疏水性配体三者的摩尔比为1：104～106：104～106；表面修饰有亲水性配体和疏水性配体的金纳米双锥的电位为10～20mV。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 嘉兴学院 金纳米双锥阵列基底及其制备方法和应用

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD