申请/专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司

申请日：2020-07-31

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN112074907B

主分类号：G11C13/00

分类号：G11C13/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权;2020.12.29#实质审查的生效;2020.12.11#公开

摘要：一种用于访问三维存储器的存储单元的方法，该三维存储器具有在深度方向上分层的底部单元层、底部中间单元层、顶部中间单元层和顶部单元层的存储单元，该方法可以包括：通过将多条底部单元字线中的一条字线和多条底部单元位线中的一条位线偏置来访问底部单元层；通过将底部单元字线中的一条字线和多条中间单元位线中的一条位线偏置来访问底部中间单元层；通过将多条顶部单元字线中的一条字线和中间单元位线中的一条位线偏置来访问顶部中间单元层；以及通过将顶部单元字线中的一条字线和多条顶部单元位线中的一条位线偏置来访问顶部单元层。

主权项：1.一种用于访问三维存储器的存储单元的方法，包括：通过将多条底部单元字线中的一条字线和多条底部单元位线中的一条位线偏置，来访问底部单元层的存储单元中的存储单元，所述多条底部单元字线耦合到所述底部单元层的存储单元和在深度方向上在所述底部单元层上方的底部中间单元层的存储单元中的每一者，所述多条底部单元位线耦合到所述底部单元层的存储单元；通过将所述多条底部单元字线中的一条字线和多条中间单元位线中的一条位线偏置，来访问所述底部中间单元层的存储单元中的存储单元，所述多条中间单元位线耦合到所述底部中间单元层的存储单元和在所述深度方向上在所述底部中间单元层上方的顶部中间单元层的存储单元中的每一者；通过将多条顶部单元字线中的一条字线和所述多条中间单元位线中的一条位线偏置，来访问所述顶部中间单元层的存储单元中的存储单元，所述多条顶部单元字线耦合到所述顶部中间单元层的存储单元和在所述深度方向上在所述顶部中间单元层上方的顶部单元层的存储单元中的每一者；以及通过将所述多条顶部单元字线中的一条字线和多条顶部单元位线中的一条位线偏置，来访问所述顶部单元层的存储单元中的存储单元，所述多条顶部单元位线耦合到所述顶部单元层的存储单元，其中，每个单元层包括多个单元块，每个单元块通信地耦合到在所述深度方向上位于所述多个单元层下方的对应的单元块解码器，并且用于相邻单元层的位线的单元块解码器被布置在交替的行中，用于相邻单元层的字线的单元块解码器被布置在交替的列中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 针对用于4堆叠3D PCM存储器的分布式阵列和CMOS架构的新颖的编程和读取偏置方案

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