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【发明授权】具有通过鳍状桥接区耦合的垂直堆叠的纳米片的晶体管沟道_国际商业机器公司_202080016969.1 

申请/专利权人:国际商业机器公司

申请日:2020-02-24

公开(公告)日:2024-04-19

公开(公告)号:CN113491014B

主分类号:H01L29/786

分类号:H01L29/786;H01L21/02

优先权:["20190227 US 16/286,733"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.19#授权;2021.10.26#实质审查的生效;2021.10.08#公开

摘要:本发明的实施例涉及用于提供新颖的场效应晶体管FET架构的技术,该FET架构包括中心鳍状物区域和一个或多个垂直堆叠的纳米片。在本发明的非限制性实施例中,非平面沟道区被形成为具有第一半导体层208、第二半导体层206以及位于第一半导体层208与第二半导体层206之间的鳍状桥接层。形成所述非平面沟道区可以包括:在衬底204之上形成纳米片堆叠体;通过去除所述纳米片堆叠体的一部分来形成沟槽502;以及在所述沟槽502中形成第三半导体层602。所述第一半导体层208、所述第二半导体层206和所述鳍状桥区的外表面限定所述非平面沟道区的有效沟道宽度。

主权项:1.一种用于形成半导体器件的方法,所述方法包括:在衬底之上形成交替的半导体层和掺杂的半导体层的堆叠,所述掺杂的半导体层包括掺杂剂;使所述掺杂半导体层的侧壁凹陷;以及在可操作用于使所述掺杂剂均匀地扩散通过所述半导体层和所述掺杂半导体层的温度下退火;从所述半导体层和所述掺杂的半导体层中去除所述掺杂剂。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 国际商业机器公司 具有通过鳍状桥接区耦合的垂直堆叠的纳米片的晶体管沟道

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