申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十四研究所

申请日：2020-04-21

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN111352461B

主分类号：G05F1/56

分类号：G05F1/56

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权;2020.07.24#实质审查的生效;2020.06.30#公开

摘要：本发明公开了一种基于CMOS工艺的负压基准电路，属于集成电路技术领域。本发明包括基准源核心电路和参考电平转换电路，所述基准源核心电路，产生相对于负压电源的参考电压；所述参考电平转换电路，用于产生参考于地的负压基准输出；所述基准源核心电路的输出端与参考电平转换电路的运算放大器正向输入端相连，基准源核心电路和参考电平转换电路均连接同一地和同一负压电源，电阻为同类型电阻。本发明将由传统的基准源核心电路产生的相对于负压电源的参考电压转换成所需的负压基准，解决在传统CMOS工艺上实现高精度负压基准难度大的问题。

主权项：1.一种基于CMOS工艺的负压基准电路，其特征在于，包括基准源核心电路和参考电平转换电路，所述基准源核心电路，产生相对于负压电源的参考电压，包括CMOS工艺中的寄生PNP三极管Q1、Q2和Q3，同类型第一电阻和第二电阻；该基准源核心电路输出电压Vref_pre表示为： 其中，Vbe1为Q1的基级与发射级间电压，Vbe2为Q2的基级与发射级间电压，Vbe3为Q3的基级与发射级间电压，R1为第一电阻的阻值，R2为第二电阻的阻值，VEE为负压电源电压；所述参考电平转换电路，用于产生参考于地的负压基准输出；包括运放A、NMOS管MN、第三电阻和第四电阻，运放A的正向输入端作为参考电平转换电路输入端，运放A的反向输入端和NMOS管MN的源端连接第三电阻，运放A的正向电源端与地相连，运放A的负向电源端与电源VEE相连；运放A的输出端和NMOS管MN的栅端相连；第三电阻的另一端和VEE相连；NMOS管MN的漏端与第四电阻的一端相连，且作为参考电平转换电路输出端；第四电阻的另一端接地；所述基准源核心电路的输出端与参考电平转换电路的运算放大器正向输入端相连，基准源核心电路和参考电平转换电路均连接同一地和同一负压电源，第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻为同类型电阻。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第十四研究所 一种基于CMOS工艺的负压基准电路

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