申请/专利权人：江苏芯长征微电子集团股份有限公司

申请日：2023-09-25

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN220821568U

主分类号：H01L29/739

分类号：H01L29/739;H01L29/06;H01L29/417

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权

摘要：本实用新型涉及一种可抑制短路失效的IGBT器件。其包括具有第一导电类型的衬底、制备于所述衬底正面的正面元胞结构以及制备于所述衬底背面的背面电极结构，在所述IGBT器件的截面上，背面电极结构包括若干在衬底背面依次交替排布的第一导电类型集电区以及第二导电类型集电区，第一导电类型集电区、第二导电类型集电区与衬底内的第一导电类型缓冲层接触；在第一导电类型缓冲层内设置若干第二导电类型浮空埋层，其中，一第二导电类型浮空埋层与一第一导电类型集电区对应，且任一第二导电类型浮空埋层不超过所对应的第一导电类型集电区。本实用新型可有效抑制短路失效风险，提高IGBT器件的使用寿命以及适应性。

主权项：1.一种可抑制短路失效的IGBT器件，包括具有第一导电类型的衬底、制备于所述衬底正面的正面元胞结构以及制备于所述衬底背面的背面电极结构，其特征是：在所述IGBT器件的截面上，背面电极结构包括若干在衬底背面依次交替排布的第一导电类型集电区以及第二导电类型集电区，第一导电类型集电区、第二导电类型集电区与衬底内的第一导电类型缓冲层接触；在第一导电类型缓冲层内设置若干第二导电类型浮空埋层，其中，一第二导电类型浮空埋层与一第一导电类型集电区对应，且任一第二导电类型浮空埋层不超过所对应的第一导电类型集电区。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏芯长征微电子集团股份有限公司 可抑制短路失效的IGBT器件

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