申请/专利权人：中国科学院金属研究所

申请日：2022-10-26

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117923478A

主分类号：C01B32/194

分类号：C01B32/194

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明属于功能膜领域，具体涉及一种高质量石墨烯导热导电膜的制备方法。该制备方法以杂原子共价晶格掺杂的弱氧化石墨烯或石墨烯作为原料，经液相组装得到层状薄膜，再经高温石墨化热处理制得高质量石墨烯导热导电膜。本发明利用高温下共价掺杂原子从石墨烯晶格内分解产生的空位和缺陷促进碳原子的层间迁移，有效促进石墨化过程中石墨晶体的三维重排和结晶，从而大幅提升了石墨化效率、石墨烯膜的晶粒尺寸、有序性和结晶质量以及导热导电性能。本发明具有制备工艺简单、效率高、易于规模放大、且所得石墨烯膜质量和性能高的特点，为石墨烯在热管理、电磁屏蔽、储能、核技术等领域的应用奠定了基础，并有望用于石墨烯纤维等碳材料的高效石墨化。

主权项：1.一种高质量石墨烯导热导电膜的制备方法，其特征在于，以杂原子共价晶格掺杂的弱氧化石墨烯或石墨烯作为原料，经液相组装得到层状薄膜，利用高温下共价掺杂原子从石墨烯晶格内分解产生的缺陷和空位促进碳原子在石墨烯层间的迁移，有效促进后续高温石墨化过程中石墨晶体的三维重排和结晶，从而大幅提升石墨烯膜的晶粒尺寸、结晶质量和有序性，制备得到高导热导电的石墨烯膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院金属研究所 一种高质量石墨烯导热导电膜的制备方法

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