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【发明公布】一种用于恒温扩增的单碱基突变检测引物设计方法_首都医科大学附属北京儿童医院_202311681307.8 

申请/专利权人:首都医科大学附属北京儿童医院

申请日:2023-12-08

公开(公告)日:2024-04-26

公开(公告)号:CN117925778A

主分类号:C12Q1/6806

分类号:C12Q1/6806;C12Q1/6844;C12N15/11

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要:本发明公开一种用于恒温扩增的单碱基突变检测引物设计方法,包括恒温扩增中FIP、BIP引物对的变更,包括:S1,将FIP、BIP引物对序列的第一羟基进行封闭;S2,在FIP、BIP引物对序列的单碱基突变的位点的特定位置碱基进行缺失设计,以产生缺碱基位点;第一羧基为3’羟基;单碱基突变的位点的特定位置为单碱基突变位点的左右相邻碱基;单碱基突变的位点的特定位置为单碱基突变位点的左右1‑2碱基处;单碱基突变的位点的特定位置为单碱基突变位点的下游或右侧;FIP、BIP引物对序列的单碱基突变的位点与3’端第一碱基相隔4个以上的碱基。还公开了对应的设计系统,一种单碱基突变检测引物以及单碱基突变检测引物在恒温扩增中的应用。

主权项:1.一种用于恒温扩增的单碱基突变检测引物设计方法,其特征在于,包括所述恒温扩增中FIP、BIP引物对的变更,包括:S1,将FIP、BIP引物对序列的第一羟基进行封闭;S2,在FIP、BIP引物对序列的单碱基突变的位点的特定位置碱基进行缺失设计,以产生缺碱基位点。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 首都医科大学附属北京儿童医院 一种用于恒温扩增的单碱基突变检测引物设计方法

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