申请/专利权人：中国科学院半导体研究所

申请日：2024-01-17

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936577A

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L21/335;H01L23/31;H01L29/45

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本公开提供了一种具有欧姆接触界面钝化层的GaNHEMT器件及其制备方法，该GaNHEMT器件包括：衬底层1；缓冲层2，生长于衬底层1的上表面；异质结结构层3，生长于缓冲层2的上表面，异质结结构层3的上表面的边缘处设有对称的两个外延槽；接触电阻结构层4，生长于外延槽内，其厚度大于外延槽的深度，自下而上依次包括材料层41、钝化层42及源漏金属层43；栅极金属层5，生长于异质结结构层3的上表面，以及位于接触电阻结构层4之间。本公开可以减少材料层41中的金属诱导带隙中间态密度，并钝化界面处的悬挂键，减轻界面态对于费米能级的钉扎效应，从而降低欧姆接触电阻，实现具有低欧姆接触电阻的GaN基HEMT。

主权项：1.一种具有欧姆接触界面钝化层的GaNHEMT器件，其特征在于，包括：衬底层1；缓冲层2，生长于所述衬底层1的上表面；异质结结构层3，生长于所述缓冲层2的上表面，所述异质结结构层3的上表面的边缘处设有对称的两个外延槽；接触电阻结构层4，生长于所述外延槽内，其厚度大于所述外延槽的深度，自下而上依次包括材料层41、钝化层42及源漏金属层43；栅极金属层5，生长于所述异质结结构层3的上表面，以及位于所述接触电阻结构层4之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院半导体研究所 具有欧姆接触界面钝化层的GaN HEMT器件及其制备方法

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