申请/专利权人：信越半导体株式会社

申请日：2022-07-19

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117941033A

主分类号：H01L21/304

分类号：H01L21/304;H01L21/306

优先权：["20210901 JP 2021-142210"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明是一种硅晶圆的清洗方法，其为将硅晶圆粗糙化的清洗方法，该清洗方法包括以下工序：准备露出没有自然氧化膜的裸面的硅晶圆作为所述硅晶圆的工序；及利用包含氢氧化铵和双氧水的水溶液对该已准备的硅晶圆进行清洗，由此将所述硅晶圆的表面和背面或背面粗糙化的清洗工序，其中，作为所述清洗工序中使用的水溶液，使用Si相对于SiO2的蚀刻选择比为95以上且1100以下的水溶液。由此，提供一种能够将硅晶圆的表面和背面或背面粗糙化的清洗方法、及一种能够得到仅一侧的面被粗糙化的硅晶圆的硅晶圆的制造方法。

主权项：1.一种硅晶圆的清洗方法，其为将硅晶圆粗糙化的清洗方法，所述清洗方法的特征在于，包括以下工序：准备露出没有自然氧化膜的裸面的硅晶圆作为所述硅晶圆的工序；及利用包含氢氧化铵和双氧水的水溶液对已准备的所述硅晶圆进行清洗，由此将所述硅晶圆的表面和背面或背面粗糙化的清洗工序，其中，作为所述清洗工序中使用的水溶液，使用Si相对于SiO2的蚀刻选择比为95以上且1100以下的水溶液。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 信越半导体株式会社 硅晶圆的清洗方法及制造方法

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