申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2024-01-11

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936404A

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66;H01L21/67

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明公开一种膜厚监控方法、装置及设备，涉及集成电路技术领域，用于解决现有技术中膜厚监控准确度低、监控效率低的问题。包括：获取集成电路制造过程中目标器件的待监控膜层结构；确定目标器件中其他膜层结构与待监控膜层结构之间的相关度；对相关度小于预设阈值的膜层结构进行分类，得到基础膜层结构以及辅助膜层结构；在测试区域将辅助膜层结构进行删减，并优化，得到优化后的器件结构；对优化后的器件结构中的待监控膜层结构的膜层厚度进行监控，得到目标监控结果。本发明提供的技术方案中，在测试区域中精简目标器件的结构，以减少其他膜层对待监控膜层的影响，膜层数量减少，提高器件膜厚的监控效率以及监控准确率。

主权项：1.一种膜厚监控方法，其特征在于，方法包括：获取集成电路制造过程中目标器件的待监控膜层结构；确定所述目标器件中其他膜层结构与所述待监控膜层结构之间的相关度；对所述相关度小于预设阈值的膜层结构进行分类，得到基础膜层结构以及辅助膜层结构；在测试区域将所述辅助膜层结构进行删减，并优化，得到优化后的器件结构；所述优化后的器件结构中的膜层数量小于所述目标器件的膜层数量；对所述优化后的器件结构中的所述待监控膜层结构的膜层厚度进行监控，得到目标监控结果。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种膜厚监控方法、装置及设备

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