申请/专利权人：佛山科学技术学院

申请日：2024-01-26

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117935880A

主分类号：G11C13/00

分类号：G11C13/00;G06F30/367

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明涉及忆阻电路技术领域，尤其涉及一种基于伪差分结构的高频忆阻电路，通过简单的晶体管拓扑结构，采用伪差分放大器、一个处在线性区的P型场效应管、一个源跟随器，一个负阻抗转换器NIC和一个N型场效应管构成。本电路使用场效应管自身的寄生电容，无需外置电容电阻，在高频下也能够产生非线性忆阻特性：具体为当输入电压端Vin的输入信号Vin为正弦信号时，输入的整体电流Iin与输入信号Vin的关系曲线呈现出捏滞回线特征。且二者的关系曲线会随着输入信号Vin频率的提升而逐步收缩，最终收缩成一条单值函数曲线的趋势。

主权项：1.一种基于伪差分结构的高频忆阻电路，其特征在于，包括输入电压端Vin、第一偏置电压端Vb1、第二偏置电压端Vb2、第三偏置电压端Vb3、伪差分放大器EA、源跟随器、负阻抗转换器NIC、N型场效应管M5和P型场效应管M8；所述源跟随器包括场效应管M6和场效应管M7；所述输入电压端VIN分别与所述伪差分放大器EA的正端、N型场效应管M5的漏极和负阻抗转换器NIC的输入端电连接；所述伪差分放大器EA的负端与所述第二偏置电压端Vb2电连接；所述伪差分放大器EA的输出端与所述N型场效应管M5的栅极和场效应管M6的栅极电连接；所述场效应管M6的源极和场效应管M7的漏极均与所述P型场效应管M8的栅极电连接，所述场效应管M6的漏极与所述第三偏置电压端Vb3电连接，所述场效应管M7的栅极与所述第一偏置电压端Vb1电连接，所述P型场效应管M8的漏极与所述负阻抗转换器NIC的输出端电连接；所述N型场效应管M5的源极、场效应管M7的源极和场效应管M8的源极均接地。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 佛山科学技术学院 一种基于伪差分结构的高频忆阻电路

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