申请/专利权人：江苏集芯先进材料有限公司

申请日：2024-01-31

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117926400A

主分类号：C30B23/00

分类号：C30B23/00;C30B29/36

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明公开了一种碳化硅晶体的生长装置，包括生长坩埚、送气组件和加热组件，所述生长坩埚限定出第一容纳腔，所述生长坩埚的侧壁上设有多个沿其周向方向布置的籽晶；所述送气组件设于所述第一容纳腔内，所述送气组件限定出原料腔；所述送气组件的侧壁上设有连通所述原料腔和所述第一容纳腔的气流通道；所述加热组件设于所述原料腔内，用于对所述原料腔内的碳化硅粉末进行加热。本发明能够同时进行多个晶体的生长，提高长晶效率；而且可控制长晶速度，提高长晶质量。

主权项：1.一种碳化硅晶体的生长装置，其特征在于，包括：生长坩埚，所述生长坩埚限定出第一容纳腔，所述生长坩埚的侧壁上设有多个沿其周向方向布置的籽晶；送气组件，所述送气组件设于所述第一容纳腔内，所述送气组件限定出原料腔；所述送气组件的侧壁上设有连通所述原料腔和所述第一容纳腔的气流通道；加热组件，所述加热组件设于所述原料腔内，用于对所述原料腔内的碳化硅粉末进行加热。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏集芯先进材料有限公司 碳化硅晶体的生长装置

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