申请/专利权人：安徽亿芯链智能科技发展有限公司

申请日：2024-01-25

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936589A

主分类号：H01L29/808

分类号：H01L29/808;H01L21/337

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明公开了基于多晶硅膜的N沟道结型场效应管及制备方法，属于结型场效应管领域，包括原始硅衬底晶圆片，所述原始硅衬底晶圆片上表面掺杂设有P型隐埋层；P型隐埋层以及原始硅衬底晶圆片的表面外延生长设有N‑外延层；N‑型导电沟道光刻掺杂设有P‑型栅极掺杂区；P型掺杂区光刻掺杂设有P+型背栅掺杂区；P型掺杂区光刻掺杂设有P型隐埋层连接区；沉积氧化硅介质膜刻蚀形成第一金属铝层互连接触窗口；沉积氧化硅‑氮硅复合介质区刻蚀形成第一金属铝层与第二金属铝层间的互连孔。本发明实现了高输入阻抗、超低的栅极漏电流及极低的栅电极电阻，实现了器件源端极低的寄生电阻，进一步降低背栅电极的电阻。

主权项：1.基于多晶硅膜的N沟道结型场效应管，包括原始硅衬底晶圆片201，其特征在于，所述原始硅衬底晶圆片201上表面掺杂设有P型隐埋层202；所述P型隐埋层202以及原始硅衬底晶圆片201的表面外延生长设有N-外延层205；所述N-外延层205表面光刻穿透设有P型掺杂区203；所述P型掺杂区203掺杂设有N+型源极掺杂区208和N+型漏极掺杂区210；所述P型掺杂区203掺杂形成N-型导电沟道206；所述N-型导电沟道206光刻掺杂设有P-型栅极掺杂区207；P型掺杂区203光刻掺杂设有P+型背栅掺杂区209；所述P型掺杂区203光刻掺杂设有P型隐埋层连接区204；所述P型掺杂区203、P型隐埋层连接区204、N-外延层205、N-型导电沟道206、P-型栅极掺杂区207、N+型源极掺杂区208、P+型背栅掺杂区209和N+型漏极掺杂区210的上表面设有热氧化与沉积复合介质膜217；N型多晶硅杂质区光刻掺杂形成源极N+型多晶硅掺杂薄膜213和N+型多晶硅掺杂薄膜211；P型多晶硅杂质区光刻掺杂形成栅极P+型多晶硅掺杂薄膜212和背栅P+型多晶硅掺杂薄膜214；所述热氧化与沉积复合介质膜217上表面设有沉积氧化硅介质膜218；所述沉积氧化硅介质膜218刻蚀形成第一金属铝层215互连接触窗口，接触窗口内光溅射形成第一金属铝层215；所述沉积氧化硅介质膜218上表面沉积形成沉积氧化硅-氮硅复合介质区219；所述沉积氧化硅-氮硅复合介质区219刻蚀形成第一金属铝层215与第二金属铝层216间的互连孔；互连孔内溅射形成第二金属铝层216。

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权利要求：

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