申请/专利权人：西安微电子技术研究所

申请日：2024-01-22

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936405A

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66;G01L1/24

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明提供一种带图形的应力监控方法，为了实现带图形的应力监控方法，通过对带图形的应力监控片表面进行图形修饰时，需要考虑应力量测仪测试应力的原理，为了量测带图形的薄膜应力，在淀积相关薄膜后，对于相关图形光刻工艺，通过对带图形的应力监控片表面进行图形修饰，即应力量测仪镭射光扫描路径处没有台阶，通过刻蚀工艺，制备出相对应图形的薄膜，保证应力量测仪量测应力时，感测器能有效的收集衬底反射的镭射光，进而能得到衬底曲率，通过淀积薄膜前后衬底曲率的变化量得到带有图形的薄膜应力。本发明能够测试相关图形的薄膜应力，填补了带图形的薄膜应力监控方法的空白。

主权项：1.一种带图形的应力监控方法，其特征在于，包括，S1，采用应力量测仪测试衬底的曲率得到衬底的应力前值；S2，在测试过应力前值的衬底上淀积待测试应力的薄膜；S3，对已淀积待测试应力的薄膜的衬底进行光刻工艺，得到光刻后的薄膜图形；S4，对光刻后的薄膜图形进行刻蚀工艺和去胶工艺，得到带图形应力监控片；S5，对带图形应力监控片进行应力后值测试，将应力前值与应力后值的曲率变化量比较后得到带图形应力监控片的应力，进而得到带图形的应力监控结果。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安微电子技术研究所 一种带图形的应力监控方法

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