申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日：2019-12-27

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN113050362B

主分类号：G03F1/36

分类号：G03F1/36

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2021.07.16#实质审查的生效;2021.06.29#公开

摘要：一种光学邻近修正方法及掩膜版，光学邻近修正方法适用于具有弧形狭缝的光刻系统，光学邻近修正方法包括：提供原始版图图形；对所述原始版图图形进行轮廓修正处理，所述轮廓修正处理适于将所述原始版图图形变为与所述弧形狭缝一致的弧形图形，所述弧形图形用于作为修正后版图图形。本发明通过将所述原始版图图形变为与所述弧形狭缝一致的弧形图形，从而改善或消除狭缝效应，进而降低建立光学邻近修正模型的复杂性和错误率。

主权项：1.一种光学邻近修正方法，适用于具有弧形曝光狭缝的光刻系统，其特征在于，包括：提供掩膜版图，所述掩膜版图包括原始版图图形；对所述原始版图图形进行轮廓修正处理，所述轮廓修正处理适于将所述原始版图图形变为与所述弧形曝光狭缝轮廓一致的弧形图形，所述弧形图形用于作为修正后版图图形。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 光学邻近修正方法及掩膜版

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