申请/专利权人：清华大学;北京清华长庚医院

申请日：2021-02-10

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN114910838B

主分类号：G01R33/34

分类号：G01R33/34;G01R33/38

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2022.09.30#实质审查的生效;2022.08.16#公开

摘要：本申请涉及一种磁场增强组件以及磁场增强器件。第一电极层设置于第一表面，靠近第二端设置。第二电极层设置于第一表面，并与第一电极层间隔设置，且靠近第一端设置。第三电极层设置于第二表面，并靠近第二端设置，第三电极层在第一电介质层的正投影和第一电极层在第一电介质层的正投影部分重合，形成第二结构电容。第四电极层设置于第二表面，并与第三电极层间隔设置，且靠近第一端设置，第四电极层在第一电介质层的正投影和第二电极层在第一电介质层的正投影部分重合，形成第三结构电容。第三谐振电路的一端与第二电极层远离第一端的一端电连接，第三谐振电路的另一端与第一电极层远离第二端的一端电连接。

主权项：1.一种磁场增强组件，其特征在于，所述磁场增强组件包括：第一电介质层（100），具有相对设置的第一表面（101）与第二表面（102），所述第一电介质层（100）具有相对设置的第一端（103）与第二端（104）；第一电极层（110），设置于所述第一表面（101），并靠近所述第二端（104）设置；第二电极层（120），设置于所述第一表面（101），并与所述第一电极层（110）间隔设置，且靠近所述第一端（103）设置；第三电极层（130），设置于所述第二表面（102），并靠近所述第二端（104）设置，所述第三电极层（130）在所述第一电介质层（100）的正投影和所述第一电极层（110）在所述第一电介质层（100）的正投影部分重合，形成第二结构电容（302）；第四电极层（140），设置于所述第二表面（102），并与所述第三电极层（130）间隔设置，且靠近所述第一端（103）设置，所述第四电极层（140）在所述第一电介质层（100）的正投影和所述第二电极层（120）在所述第一电介质层（100）的正投影部分重合，形成第三结构电容（303）；第三谐振电路（400），所述第三谐振电路（400）的一端与所述第二电极层（120）远离所述第一端（103）的一端电连接，所述第三谐振电路（400）的另一端与所述第一电极层（110）远离所述第二端（104）的一端电连接；其中，所述第三谐振电路（400）包括：第六电容（306）；第五电极层（141），设置于所述第一表面（101），并与所述第一电极层（110）和所述第二电极层（120）均间隔设置，所述第五电极层（141）设置于所述第一电极层（110）与所述第二电极层（120）之间；其中，所述第六电容（306）的一端与所述第二电极层（120）远离所述第一端（103）的一端电连接，所述第六电容（306）的另一端与所述第五电极层（141）靠近所述第二电极层（120）的一端电连接；第六电极层（121），设置于所述第二表面（102），并与所述第三电极层（130）和所述第四电极层（140）均间隔设置，所述第六电极层（121）设置于所述第四电极层（140）与所述第三电极层（130）之间，所述第六电极层（121）在所述第一电介质层（100）的正投影和所述第五电极层（141）在所述第一电介质层（100）的正投影部分重合，形成第一结构电容（301）；第四电感（307），所述第四电感（307）的一端与所述第六电极层（121）靠近所述第三电极层（130）的一端电连接，所述第四电感（307）的另一端与所述第三电极层（130）远离所述第二端（104）的一端电连接；其中，所述第二电极层（120）与所述第五电极层（141）之间形成第一空隙（308），并露出所述第一表面（101），所述第三电极层（130）与所述第六电极层（121）之间形成第二空隙（309），并露出所述第二表面（102）；所述第六电容（306）设置于所述第一空隙（308）中的所述第一表面（101），所述第四电感（307）设置于所述第二空隙（309）中的所述第二表面（102）；所述第一空隙（308）靠近所述第三结构电容（303）设置，所述第一结构电容（301）与所述第二结构电容（302）关于所述第二空隙（309）对称设置。

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权利要求：

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