申请/专利权人：星科金朋私人有限公司

申请日：2022-03-16

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN115312402B

主分类号：H01L21/56

分类号：H01L21/56;H01L23/485;H01L23/552

优先权：["20210507 US 17/314916"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2023.07.11#实质审查的生效;2022.11.08#公开

摘要：本公开涉及基于激光的重分布和多堆叠的封装。半导体器件具有第一封装层。第一屏蔽层形成在第一封装层上。图案化第一屏蔽层以形成重分布层。电元器件设置在重分布层上。在所述电元器件上沉积封装剂。在封装剂上形成第二屏蔽层。图案化第二屏蔽层。第一屏蔽层和第二屏蔽层的图案化可以用激光来完成。第二屏蔽层可以被图案化以形成天线。

主权项：1.一种制造半导体器件的方法，包括：提供第一封装层；在所述第一封装层的顶表面和侧表面上形成第一屏蔽层；在所述第一封装层的所述顶表面上图案化所述第一屏蔽层以形成重分布层，同时所述第一屏蔽层保持覆盖所述第一封装层的所述侧表面；在所述重分布层上设置电元器件；在所述电元器件上沉积封装剂；在所述封装剂上形成第二屏蔽层；以及图案化所述第二屏蔽层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 星科金朋私人有限公司 基于激光的重分布和多堆叠的封装

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