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【发明授权】气体注入模块、基底处理设备以及制造半导体器件的方法_三星电子株式会社_201910601953.6 

申请/专利权人:三星电子株式会社

申请日:2019-07-05

公开(公告)日:2024-04-26

公开(公告)号:CN111211030B

主分类号:H01J37/32

分类号:H01J37/32;H01L21/67

优先权:["20181121 KR 10-2018-0144454"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.26#授权;2021.01.08#实质审查的生效;2020.05.29#公开

摘要:公开了一种气体注入模块、一种气体注入系统、一种基底处理设备以及一种制造半导体器件的方法。所述气体注入模块包括:喷淋头,具有位于喷淋头的第一区域上的第一注入孔和位于喷淋头的第二区域上的第二注入孔,第二区域位于第一区域的外部;第一分布板,位于喷淋头上,并且具有分别连接到第一注入孔的第一上通道和分别连接到第二注入孔的第二上通道;以及流速控制器,位于第一分布板的第一上通道和第二上通道上。流速控制器使在第一上通道和第二上通道内的压力差减小,从而气体可以在第一注入孔和第二注入孔内具有相似的流速。

主权项:1.一种气体注入系统,所述气体注入系统包括:喷淋头,具有位于所述喷淋头的第一区域中的第一注入孔以及位于所述喷淋头的第二区域中的第二注入孔,所述第二区域位于所述第一区域的径向向外处;气体分布器,位于所述喷淋头上并且具有分别连接到所述第一注入孔的第一上通道和分别连接到所述第二注入孔的第二上通道;以及流速控制器,被构造为相对于所述第二上通道中的压力保持所述第一上通道内的压力,使得经由所述气体分布器引入到所述喷淋头中的气体以与气体流过所述第二注入孔的速率相似的速率流过所述第一注入孔,其中,所述流速控制器包括:分别设置在所述第一上通道中的第一压力传感器和分别设置在所述第二上通道中的第二压力传感器,以检测气体在所述第一上通道内的压力和在所述第二上通道内的压力,其中,所述气体分布器包括:下板,具有连接到所述第一注入孔的第一下孔和连接到所述第二注入孔的第二下孔;以及上板,具有置于所述第一下孔上方的第一凹槽和置于所述第二下孔上方的第二凹槽,其中,所述第一压力传感器设置在所述第一凹槽中,并且所述第二压力传感器设置在所述第二凹槽中。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 三星电子株式会社 气体注入模块、基底处理设备以及制造半导体器件的方法

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