申请/专利权人：信阳师范学院

申请日：2021-10-22

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN114107960B

主分类号：C23C18/12

分类号：C23C18/12;H10K30/15;H10K30/85;H10K71/00;B82Y30/00;B82Y40/00;B82Y15/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2022.03.18#实质审查的生效;2022.03.01#公开

摘要：本发明属于光电子材料与器件技术领域，涉及一种以草酸亚锡为原料制备SnO2电子传输层薄膜的方法，包括以下步骤：将透明导电衬底分别放入去离子水、酒精中超声清洗，然后放入烘箱中干燥；将草酸亚锡溶解于过氧化氢溶液中，将溶液超声、过滤，得到浓度为0.25~1molL的SnO2前驱体溶液；将SnO2前驱体溶液涂布到透明导电衬底上，在100~250℃下加热30min，得到高透光性的SnO2电子传输层薄膜。采用本发明制备的SnO2薄膜得到的钙钛矿电池的光电转换效率可达到20%以上，优于相同条件下使用商业化SnO2纳米颗粒制备的钙钛矿电池。

主权项：1.一种以草酸亚锡为原料制备SnO2电子传输层薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将透明导电衬底分别放入去离子水、酒精中超声清洗，然后放入烘箱中干燥；S2、将草酸亚锡溶解于过氧化氢溶液中，将溶液超声、过滤，得到浓度为0.25~1molL的SnO2前驱体溶液；所述过氧化氢溶液的浓度为30%；S3、将SnO2前驱体溶液涂布到透明导电衬底上，在180℃下加热30min，得到高透光性的SnO2电子传输层薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 信阳师范学院 以草酸亚锡为原料制备SnO₂电子传输层薄膜的方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD