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【实用新型】原子层沉积设备_深圳市原速光电科技有限公司_202322435484.X 

申请/专利权人:深圳市原速光电科技有限公司

申请日:2023-09-07

公开(公告)日:2024-04-26

公开(公告)号:CN220846263U

主分类号:C23C16/455

分类号:C23C16/455;C23C16/458;C23C16/44

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.26#授权

摘要:本实用新型公开了一种原子层沉积设备,包括:盖体具有反应腔;承载台设置于反应腔中,承载台用于放置基片且承载台能够转动;反应腔包括多个反应区域,反应区域设置有进气部,且相邻的两个反应区域之间设置有气体隔离部,进气部包括第一进气口,气体隔离部包括第一排气口、第二进气口、第二排气口和第三进气口,第一排气口围绕于第一进气口的外围,第二进气口围绕于第一排气口的外围,第二排气口围绕于第二进气口的外围,第三进气口围绕于第二排气口的外围,第一排气口和第二排气口均用于让气体排出,第二进气口和第三进气口均用于通入惰性气体。本实用新型的原子层沉积设备,能够实现较好的隔离效果,并且加工效率较快。

主权项:1.原子层沉积设备,其特征在于,包括:盖体,具有反应腔;承载台,设置于所述反应腔中,所述承载台用于放置基片,且所述承载台能够转动;其中,沿所述承载台的旋转方向,所述反应腔包括多个反应区域,所述反应区域设置有进气部,且相邻的两个所述反应区域之间设置有气体隔离部,其中,所述进气部包括第一进气口,所述第一进气口用于让反应气体进入所述反应腔,所述气体隔离部包括第一排气口、第二进气口、第二排气口和第三进气口,所述第一排气口围绕于所述第一进气口的外围,所述第二进气口围绕于所述第一排气口的外围,所述第二排气口围绕于所述第二进气口的外围,所述第三进气口围绕于所述第二排气口的外围,所述第一排气口和所述第二排气口均用于让气体从所述反应腔排出,所述第二进气口和所述第三进气口均用于向所述反应腔通入惰性气体。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 深圳市原速光电科技有限公司 原子层沉积设备

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