申请/专利权人：亚德诺半导体国际无限责任公司

申请日：2022-08-30

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117957775A

主分类号：H03K17/10

分类号：H03K17/10;H01L29/78

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：一种固态开关，其包括第一金属氧化物半导体场效晶体管MOSFET，该MOSFET包括：漏极端子、源极端子及闸极端子。该MOSFET经配置以在导通状态与关断状态之间进行切换。该固态开关也包括与该第一MOSFET串联的第二MOSFET及具有输出端子及输入端子的缓冲器。该第二MOSFET具有闸极端子、漏极端子及源极端子。该第一MOSFET的漏极端子连接至该第二MOSFET的源极端子。该输入端子耦合至该第二MOSFET的漏极端子。下列中的至少一者：该第一MOSFET具有隔离端子，且该缓冲器的输出端子耦合至该第一MOSFET的隔离端子；并且该第二MOSFET具有隔离端子，且该缓冲器的输出端子耦合至该第二MOSFET的隔离端子。

主权项：1.一种固态开关，包括：第一金属氧化物半导体场效晶体管MOSFET，包括：漏极端子、源极端子及闸极端子，且经配置以在导通状态与关断状态之间进行切换；与所述第一MOSFET串联的第二MOSFET，其中所述第二MOSFET具有闸极端子、漏极端子及源极端子，且其中所述第一MOSFET的所述漏极端子连接至所述第二MOSFET的所述源极端子；及缓冲器，包括：输出端子及耦合至所述第二MOSFET的所述漏极端子的输入端子，其中下列中的至少一者：所述第一MOSFET包括隔离端子，且所述缓冲器的所述输出端子耦合至所述第一MOSFET的所述隔离端子；并且所述第二MOSFET包括隔离端子，且所述缓冲器的所述输出端子耦合至所述第二MOSFET的所述隔离端子。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 亚德诺半导体国际无限责任公司 固态开关

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