申请/专利权人：武汉高芯科技有限公司

申请日：2023-12-26

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117954527A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/103;H01L27/144

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本发明涉及半导体材料加工制备技术领域，具体涉及一种碲镉汞pn结阵列及其制备方法，包括如下步骤：S1、在p型碲镉汞基底上生长保护层，并在保护层上采用光刻工艺形成离子注入窗口；S2、通过离子注入窗口进行离子注入形成N型区域；S3、去除光刻胶和保护层；S4、在碲镉汞基底上生长钝化层；S5、进行退火热处理，得到碲镉汞pn结阵列。本发明中的钝化层是在离子注入之后生长的，避免了钝化层经历离子注入过程造成钝化层晶格损伤和钝化层被掺杂的情况，钝化层的绝缘性更优；同时将碲化镉钝化后的退火工序和离子注入后消除注入损伤的工序合并，减少了退火热处理工艺的次数，节约了能源，缩短了生产周期，有利于进行产业化批量生产。

主权项：1.一种碲镉汞pn结阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、在p型碲镉汞基底上生长保护层，并在保护层上采用光刻工艺形成离子注入窗口；S2、通过离子注入窗口进行离子注入形成N型区域；S3、去除光刻胶和保护层；S4、在碲镉汞基底上生长钝化层；S5、进行退火热处理，得到碲镉汞pn结阵列。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉高芯科技有限公司 一种碲镉汞pn结阵列及其制备方法

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