申请/专利权人：航天科工集团智能科技研究院有限公司

申请日：2022-10-21

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117954511A

主分类号：H01L31/0224

分类号：H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/107;H01L31/18;H01L27/144;G01J1/42

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本发明提供了一种沟槽电极单光子雪崩阵列、传感器及制备方法，该沟槽电极单光子雪崩阵列包括外延层及其表面横纵设置的若干沟槽结构；沟槽结构的两侧分别通过离子角度注入形成第一重掺杂区、雪崩注入区，沟槽结构内填充钝化物；第一重掺杂区引出第一电极；外延层还包括第二重掺杂区及其引出的第二电极。该单光子雪崩阵列在沟槽结构两侧通过离子角度注入形成有源区，有源区面积小、且布置在元胞四周，在保证光子探测效率的同时、降低暗计数率，减少器件在流片工艺中的光刻板数量，简化工艺流程，提高传感器的整体可靠性，可应用在红外辐射探测或弱光探测中。

主权项：1.一种沟槽电极单光子雪崩阵列，其特征在于，包括外延层，所述外延层一侧表面横纵设置若干沟槽结构，将外延层划分为多个元胞结构；所述沟槽结构的两侧分别通过离子角度注入形成靠近沟槽结构侧壁面的第一重掺杂区、远离沟槽结构侧壁面的雪崩注入区，所述沟槽结构内填充钝化物；所述第一重掺杂区从沟槽结构开口处引出第一电极；所述外延层设置沟槽结构的一侧还包括第二重掺杂区，所述第二重掺杂区引出第二电极。

全文数据：

权利要求：

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