申请/专利权人：比亚迪半导体股份有限公司

申请日：2022-10-28

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117954481A

主分类号：H01L29/739

分类号：H01L29/739;H01L29/423;H01L21/331

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.30#公开

摘要：本公开了一种半导体器件、功率半导体模块、车辆和制备半导体器件的方法，半导体器件包括漂移区、正面结构、发射极金属层和栅极金属层，所述正面结构位于所述漂移区的正面，所述正面结构远离所述漂移区的一面具有元胞分布区和栅极信号传输区，元胞分布区与栅极信号传输区沿半导体器件的横向分布；所述发射极金属层设置于所述元胞分布区之上；栅极金属层的一部分位于所述栅极信号传输区之上，所述栅极金属层的另一部分位于部分的所述发射极金属层之上。本发明的半导体器件，可以在提高载流能力的同时，有效改善关断过程中的关断损耗。

主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：漂移区；正面结构，所述正面结构位于所述漂移区的正面，所述正面结构远离所述漂移区的一面具有元胞分布区和栅极信号传输区，所述元胞分布区与所述栅极信号传输区沿所述半导体器件的横向分布；发射极金属层，所述发射极金属层设置于所述元胞分布区之上；栅极金属层，所述栅极金属层的一部分设置于所述栅极信号传输区之上，所述栅极金属层的另一部分位于部分的所述发射极金属层之上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 比亚迪半导体股份有限公司 半导体器件、功率半导体模块、车辆和制备半导体器件的方法

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