申请/专利权人：陕西埃恩束能碳基技术有限公司

申请日：2024-01-30

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117947382A

主分类号：C23C14/06

分类号：C23C14/06;C23C14/32;C23C14/22

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本发明一种聚丙烯补片表面制备的非晶四面体碳薄膜及方法，所述方法用离子束对聚丙烯补片进行活化，得到活化后的聚丙烯补片；在石墨靶表面产生电弧，之后气化成碳等离子体，将等离子体中的碳离子引出，再聚焦成单碳原子的离子束；通过螺线管将单碳原子的离子束中的中性颗粒和杂质离子过滤掉，之后再聚焦成离子束；通过垂直于离子束运动方向的偏转磁场，使离子束作竖直方向的上下偏转运动，之后让转架做圆周运动，作上下偏转运动的离子束沉积在做圆周运动的活化后的聚丙烯补片上，在活化后的聚丙烯补片上施加偏压，使形成的非晶四面体碳薄膜的SP3含量低于70％，得到的非晶四面体碳薄膜提高了聚丙烯补片的生物相容性。

主权项：1.一种聚丙烯补片表面制备非晶四面体碳薄膜的方法，其特征在于，将清洗后的聚丙烯补片沿竖直方向置于转架上，所述的转架位于镀膜真空室内的一侧，之后采用如下工艺于镀膜真空室中，在清洗后的聚丙烯补片上制备非晶四面体碳薄膜：S1，用180～220eV的离子束对清洗后的聚丙烯补片进行活化处理，得到活化后的聚丙烯补片；在石墨靶表面产生电弧，之后气化成碳等离子体，将等离子体中的碳离子引出，再聚焦成单碳原子的离子束；S2，通过螺线管将单碳原子的离子束中的中性颗粒和杂质离子过滤掉，之后再聚焦成离子束；S3，通过垂直于离子束运动方向的偏转磁场，使离子束作竖直方向的上下偏转运动，之后让转架做圆周运动，作上下偏转运动的离子束沉积在做圆周运动的活化后的聚丙烯补片上，在活化后的聚丙烯补片上施加偏压，使形成的非晶四面体碳薄膜的SP3含量低于70％，完成非晶四面体碳薄膜的制备。

全文数据：

权利要求：

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