申请/专利权人：湘潭宏大真空技术股份有限公司

申请日：2022-10-31

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117947390A

主分类号：C23C14/35

分类号：C23C14/35;C23C14/58;C23C14/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本发明公开了一种疏松氧化物薄膜的制备方法，首先以第一靶材和C靶共溅射，所述第一靶材材质为X，在基片上沉积XC薄膜，然后使O2‑氧化XC薄膜，O2‑与X氧化成沉积粒子，O2‑与C氧化生成CO2，CO2逃逸留下空位，生成疏松结构的氧化物薄膜。本发明的目的是提供一种疏松氧化物薄膜的制备方法，利用C共溅射后氧化反应溅射方法制备特殊用途的疏松薄膜，使成型的氧化物薄膜具备疏松多孔的结构，薄膜的疏松程度可调，薄膜的疏松程度可以通过C的比例大小来进行精确控制，氧化物薄膜通过溅射沉积获得，附着力性能优。

主权项：1.一种疏松氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，首先以第一靶材和C靶共溅射，所述第一靶材材质为X，在基片上沉积XC薄膜，然后使O2-氧化XC薄膜，O2-与X氧化成沉积粒子，O2-与C氧化生成CO2，CO2逃逸留下空位，生成疏松结构的氧化物薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湘潭宏大真空技术股份有限公司 一种疏松氧化物薄膜的制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD