申请/专利权人：隔热半导体粘合技术公司

申请日：2019-03-26

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117954388A

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768;H01L23/538

优先权：["20180411 US 62/656,264","20190325 US 16/363,894"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本公开的实施例涉及低温结合结构。本发明公开了装置和技术，该装置和技术包括使用导电互连结构中的凹陷部来形成可靠的低温金属结合的过程步骤。在结合之前将填充层沉积到该凹陷部中。使用直接结合技术在环境温度下将第一导电互连结构结合到第二金属互连结构，其中该填充层位于该第一互连结构和该第二互连结构中的一者或两者中的该凹陷部中。

主权项：1.一种方法，包括：形成第一衬底的结合表面，所述第一衬底包括嵌入所述第一衬底的所述结合表面中的第一金属特征；将第一金属材料沉积到所述第一金属特征的表面上；形成第二衬底的结合表面，所述第二衬底包括嵌入所述第二衬底的所述结合表面中的第二金属特征；将第二金属材料沉积到所述第二金属特征的表面上；以及在没有粘合剂的情况下经由直接结合将所述第二衬底的所述结合表面结合到所述第一衬底的所述结合表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 隔热半导体粘合技术公司 低温结合结构

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD