申请/专利权人：江苏林洋太阳能有限公司

申请日：2023-11-30

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117954525A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本发明公开了一种选择性掺杂钝化接触结构及其制备方法和应用，该制备方法包括：在硅片的背表面依次设置隧穿氧化硅层、原位掺杂非晶硅层、掩膜层；在掩膜层上对应所述硅片的金属接触区域的部位进行开槽，去除该部位的掩膜层；通入磷源并进行磷扩散处理，在磷扩散处理中，原位掺杂非晶硅层转变为磷掺杂多晶硅层；该方法可以制备金属接触区域重掺杂以及非金属接触区域轻掺杂的钝化接触结构，可以实现更低的表面复合、更低的金属复合、更低的界面接触电阻等性能；尤其是，本发明方法工序简便、具有集成性、产能大、污染小、掺杂控制性好等优点，有利于工业化大生产，适于制备TOPCon电池。

主权项：1.一种选择性掺杂钝化接触结构的制备方法，其特征在于，该制备方法包括：在硅片的背表面依次设置隧穿氧化硅层、原位掺杂非晶硅层、掩膜层；在所述掩膜层上对应所述硅片的金属接触区域的部位进行开槽，去除该部位的掩膜层；通入磷源并进行磷扩散处理，在所述磷扩散处理中，所述原位掺杂非晶硅层转变为磷掺杂多晶硅层；所述磷掺杂多晶硅层中，对应金属接触区域的部分中磷掺杂浓度为5×1020-7×1020cm3，对应非金属接触区域的部分中磷掺杂浓度为1.5×1020-3×1020cm3。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏林洋太阳能有限公司 一种选择性掺杂钝化接触结构及其制备方法和应用

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