申请/专利权人：北京超弦存储器研究院;清华大学

申请日：2024-01-11

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117953940A

主分类号：G11C11/408

分类号：G11C11/408;G11C11/4094

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本公开提供了具有双层字线的竖直型动态随机存取存储器DRAM阵列结构。该DRAM阵列结构包括排列成阵列的多个DRAM单元结构。根据本公开的DRAM阵列结构包括：衬底；奇数列或偶数列的DRAM单元结构的第一存储电容器，设置在衬底上；偶数列或奇数列的DRAM单元结构的第一位线，设置在第一存储电容器上方；各DRAM单元结构的选通晶体管，设置在第一存储电容器和第一位线上，其中，邻行的DRAM单元结构的选通晶体管共享第一层字线和第二层字线；奇数列或偶数列的DRAM单元结构的第二位线，设置选通晶体管上；以及偶数列或奇数列的DRAM单元结构的第二存储电容器，设置在第二位线上方，其中，第一存储电容器和第二存储电容器分别排列成第一存储电容器阵列和第二存储电容器阵列。

主权项：1.一种具有双层字线的竖直型动态随机存取存储器DRAM阵列结构，其中，所述DRAM阵列结构包括排列成阵列的多个DRAM单元结构，包括：衬底；奇数列或偶数列的DRAM单元结构的第一存储电容器，设置在所述衬底上；偶数列或奇数列的DRAM单元结构的第一位线，设置在所述第一存储电容器上方；各DRAM单元结构的选通晶体管，设置在所述第一存储电容器和所述第一位线上，其中，相邻行的DRAM单元结构的选通晶体管共享第一层字线和第二层字线；奇数列或偶数列的DRAM单元结构的第二位线，设置所述选通晶体管上；以及偶数列或奇数列的DRAM单元结构的第二存储电容器，设置在所述第二位线上方，其中，所述第一存储电容器和所述第二存储电容器分别排列成第一存储电容器阵列和第二存储电容器阵列。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京超弦存储器研究院;清华大学 动态随机存取存储器阵列结构

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