买专利,只认龙图腾
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

【发明公布】堆叠式图像传感器_三星电子株式会社_202311316274.7 

申请/专利权人:三星电子株式会社

申请日:2023-10-11

公开(公告)日:2024-04-30

公开(公告)号:CN117954460A

主分类号:H01L27/146

分类号:H01L27/146

优先权:["20221028 KR 10-2022-0141616"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.04.30#公开

摘要:公开了堆叠式图像传感器。所述堆叠式图像传感器包括:第一半导体基底,包括光电转换区域和浮置扩散区域;第一绝缘层,在第一半导体基底下方并且包括传输晶体管的栅极;第二半导体基底,在第一绝缘层下方并且包括第一导电类型的第一杂质;以及第二绝缘层,在第二半导体基底下方并且包括浮置扩散节点的金属垫和源极跟随器晶体管的栅极,其中,浮置扩散区域和浮置扩散节点的金属垫通过位于第一绝缘层和第二半导体基底中的深接触件电连接。第二半导体基底还包括阱区域。深接触件的至少一部分可在阱区域中。阱区域可围绕深接触件。

主权项:1.一种堆叠式图像传感器,包括:第一半导体基底,包括光电转换区域和浮置扩散区域,浮置扩散区域被构造为存储从光电转换区域传输的电荷;滤色器和微透镜,在第一半导体基底上;第一绝缘层,在第一半导体基底下方;传输晶体管,被构造为传输来自光电转换区域的电荷,其中,传输晶体管的栅极位于第一绝缘层中;第二半导体基底,在第一绝缘层下方并且包括第一导电类型的第一杂质,其中,第二半导体基底包括阱区域;第二绝缘层,在第二半导体基底下方;浮置扩散节点的金属垫和源极跟随器晶体管的栅极,在第二绝缘层中;以及深接触件,在第一绝缘层和第二半导体基底中,并且将浮置扩散区域电连接到浮置扩散节点的金属垫,其中,深接触件的至少一部分在阱区域中。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 三星电子株式会社 堆叠式图像传感器

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。