申请/专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117497654B

主分类号：H01L33/00

分类号：H01L33/00;H01L33/46

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.30#授权;2024.02.23#实质审查的生效;2024.02.02#公开

摘要：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种镶嵌式接触的Ag反射镜红光芯片及其制作方法，该Ag反射镜红光芯片自下而上依次包括P电极、转移基板、第二键合金属层、第一键合金属层、第二阻挡金属层、Ag反射镜、第一阻挡金属层、欧姆接触金属层、介质膜层、GaP接触图形、有源层、GaAs欧姆接触层、N电极、钝化层；所述欧姆接触金属层镶嵌在所述介质膜层内，并通过第一阻挡金属层与所述Ag反射镜隔离。本发明通过将介质膜层与Ag反射镜工艺相结合，可大幅提升反射效果；将欧姆接触金属层用介质膜层包覆，同时结合阻挡金属层，可与Ag反射镜完全隔离，可进一步确保Ag反射镜的反射效果，大幅度提高LED芯片出光效率和可靠性。

主权项：1.一种镶嵌式接触的Ag反射镜红光芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在GaAs基板上生长AlGaInPLED的外延结构，形成外延片；在所述外延片上制作出GaP接触图形；所述GaP接触图形的深度大于0.5μm但小于1μm，角度为65°-75°，并在远离GaAs基板的一侧形成凸起；在制作完GaP接触图形的外延片上沉积介质膜层，并利用光刻掩膜做出接触孔图形，使用化学腐蚀方法制作出接触孔；所述介质膜层的材料为SiO2或MgF2，厚度为0.5μm-1μm；所述接触孔设置在所述GaP接触图形的凸起部位上，并截止于GaP材料；在接触孔内使用电子束蒸镀或磁控溅射技术，依次沉积欧姆接触金属层和第一阻挡金属层；利用CMP技术，将介质膜层与第一阻挡金属层减薄至指定厚度；抛光后的厚度依照发光波长34光学厚度结合实际介质膜折射率进行设计，为34光学厚度奇数倍，且大于欧姆接触金属层的厚度，低于欧姆接触金属层和第一阻挡金属层的总厚度；在CMP后的外延片上，依次溅射Ag反射镜和第二阻挡金属层；在制作好Ag反射镜的外延片和一转移基板分别沉积第一键合金属层和第二键合金属层，然后使用金属键合技术，将外延片与转移基板金属面对金属面贴合在一起，进行键合；进行芯片前段工艺，制作台面、GaAs欧姆接触图形、N电极、钝化层以及P电极；进行芯片后段工艺，进行减薄、切割、劈裂、测试工艺，形成AlGaInPLED芯片。

全文数据：

权利要求：

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