申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2020-01-13

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN113168808B

主分类号：G09G3/32

分类号：G09G3/32

优先权：["20190220 KR 10-2019-0019641"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.30#授权;2022.02.08#实质审查的生效;2021.07.23#公开

摘要：一种显示面板，包括以矩阵布置的多个像素，该多个像素分别包括多个子像素。该多个子像素分别包括发光元件和脉冲宽度调制PWM像素电路，该PWM像素电路被配置为基于PWM数据电压和扫描电压来控制发光元件的发光持续时间。针对多个像素的行线中的每个行线，按照数据设置时段、然后发光时段的顺序，驱动显示面板中包括的多个PWM像素电路，其中数据设置时段用于设置所述PWM数据电压，以及在发光时段中，发光元件根据扫描电压的改变在与所设置的PWM数据电压相对应的持续时间期间发光。

主权项：1.一种显示面板，包括：多个像素，所述多个像素被布置为矩阵，所述多个像素分别包括多个子像素，其中所述多个子像素分别包括：发光元件；以及脉冲宽度调制PWM像素电路，被配置为基于PWM数据电压和扫描电压来控制所述发光元件的发光持续时间，以及其中针对所述多个像素的行线中的每个行线，按照数据设置时段、然后发光时段的顺序，驱动所述显示面板中包括的多个PWM像素电路，其中所述数据设置时段用于设置所述PWM数据电压，在所述发光时段中，所述发光元件根据所述扫描电压的改变在与所设置的PWM数据电压相对应的持续时间期间发光，其中所述数据设置时段和所述发光时段在时间上是连续的，并且其中针对所述行线中的每个行线顺序地驱动所述数据设置时段，其中所述扫描电压在包括所述数据设置时段和所述发光时段在内的图像帧的时间段中连续地改变，其中所述PWM像素电路包括控制晶体管，所述控制晶体管是N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管NMOSFET，并且所述控制晶体管的源极端子连接到接地电压端子，以及其中所述PWM像素电路还包括：第一晶体管，连接在所述第一晶体管的漏极端子和所述控制晶体管的栅极端子之间；第一电容器，所述第一电容器的第一端连接到所述第一晶体管的漏极端子和所述控制晶体管的栅极端子；第二晶体管，包括：漏极端子，连接到被施加了所述PWM数据电压的数据线；以及源极端子，连接到所述第一电容器的第二端；第三晶体管，包括：源极端子，连接到所述第一晶体管的漏极端子、所述控制晶体管的栅极端子、和所述第一电容器的第一端；以及漏极端子，被施加有初始电压；第四晶体管，包括：漏极端子，被施加有所述扫描电压；以及源极端子，连接到所述第一电容器的第二端和所述第二晶体管的源极端子；以及第五晶体管，包括：漏极端子，连接到所述发光元件的阴极端子；以及源极端子，连接到所述第一晶体管的源极端子和所述控制晶体管的漏极端子，以及其中所述发光元件的阳极端子连接到驱动电压端子。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 显示面板及其驱动方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD