申请/专利权人：苏州英嘉通半导体有限公司

申请日：2022-10-19

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN115587569B

主分类号：G06F30/398

分类号：G06F30/398

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.30#授权;2023.01.31#实质审查的生效;2023.01.10#公开

摘要：本发明揭示了一种芯片版图的设计规则检查方法、系统及存储介质，所述方法包括：在版图设计软件中生成版图文件，所述版图文件中包括若干栅极金属；采用判断函数遍历所有栅极金属，判断栅极金属的断栅情况及断栅种类，所述判断函数包括主判断函数和限制函数；输出违反结果，所述违反结果包括判断函数、断栅位置及断栅种类。本发明可以通过判断函数在版图设计软件中对版图文件的断栅情况和种类进行快速检查，避免了因断栅导致流片过程中断的情况，提高了流片成功率，缩短了流片时间，可以广泛应用于各种类型的芯片版图检查。

主权项：1.一种芯片版图的设计规则检查方法，其特征在于，所述方法包括：在版图设计软件中生成版图文件，所述版图文件中包括若干栅极金属；采用判断函数遍历所有栅极金属，判断栅极金属的断栅情况及断栅种类，所述判断函数包括主判断函数和限制函数；输出违反结果，所述违反结果包括判断函数、断栅位置及断栅种类；所述版图设计软件为ADS软件；所述主判断函数为dve_drcnotchL，dve_drc为用于构造规则的函数，notch为检查同一多边形外边缘的函数，L为栅极金属宽度；所述断栅种类包括完全断开的第一类断栅、未断开且有平行缺口的第二类断栅、及未断开且有不平行缺口的第三类断栅；所述限制函数包括：DVE_RN_SLOPE函数及DVE_RV_HORIZONTAL函数，用于将断栅种类约束为第一类断栅；和或，DVE_RN_EDGE_ANGLES函数及DVE_RV_PARALLEL函数，用于将断栅种类约束为第二类断栅；和或，DVE_RN_SEPARATE函数及DVE_RV_NOT_SEPARATE函数，用于将断栅种类约束为第三类断栅。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州英嘉通半导体有限公司 芯片版图的设计规则检查方法、系统及存储介质

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